三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备
公开
摘要
本发明涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，包括：在基底上依次形成停止层和叠层结构；形成沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构和停止层，并延伸至基底内；缩小沟道孔贯穿停止层的第一孔段的孔径；在孔径缩小后的沟道孔中形成沟道结构，从而在去除沟道结构延伸出停止层的端部时，能够减少反应液(比如，研磨反应液)沿沟道结构内部的缝或空隙进入沟道结构内部而破坏沟道结构中的存储单元，实现了三维存储器中沟道结构与底部源极层的良好电连接，并提高了三维存储器的良率和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566504A
申请号 ：
CN202210186721.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖亮苗利娜李倩伍术罗佳明艾义明颜元其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李镇江
优先权 ：
CN202210186721.0
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/1157
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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