三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统,该三维存储器的制作方法包括:在衬底上形成堆叠结构,堆叠结构包括多个堆叠区域以及在第一方向上位于相邻堆叠区域之间的栅线缝隙区;形成贯穿堆叠区域中的堆叠结构的多个沟道孔、以及贯穿栅线缝隙区中的堆叠结构的多个虚拟沟道孔;形成贯穿栅线缝隙区中的堆叠结构的栅线狭缝,以去除多个虚拟沟道孔并将相邻堆叠区域中的堆叠结构分隔开,从而在堆叠区域中刻蚀形成沟道孔的过程中,能够避免由于栅线缝隙区形成的刻蚀材料易在靠近栅线缝隙区的沟道孔中堆积,而导致靠近栅线缝隙区的沟道孔刻蚀不足的问题,以提高最终形成的三维存储器的性能。
基本信息
专利标题 :
三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388530A
申请号 :
CN202210061913.9
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
阳涵徐文祥张磊周文斌霍宗亮方秦
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 :
孟霞
优先权 :
CN202210061913.9
主分类号 :
H01L27/1157
IPC分类号 :
H01L27/1157 H01L27/11582 H01L27/11565
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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