本申请提供了一种三维存储器、其制作方法以及存储系统。该方法包括：提供衬底，衬底上具有堆叠体，在堆叠体的台阶区形成台阶结构，台阶结构远离衬底的一侧具有第一表面，各第一表面为不同牺牲层的远离衬底一侧的表面中的部分，第一表面所在的牺牲层为第一牺牲层，除去第一牺牲层之外的牺牲层为第二牺牲层；在第一表面上设置刻蚀阻挡层；在台阶区中形成顺序贯穿衬底和台阶结构至刻蚀阻挡层的伪沟道孔；在各伪沟道孔中依次形成绝缘层和导电支撑部，将第一牺牲层置换为第一控制栅结构，将第一牺牲层置换为第二控制栅结构，并使导电支撑部与第一控制栅结构电连接。上述方法避免了工艺难度较大而导致的相邻栅极之间连接所造成的字线短路。