三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一堆栈结构远离基底的一端为第一栅极牺牲层；在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，第一沟道孔与第二沟道孔连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构，从而，能够改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题，提高了三维存储器的良率及可靠性。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284291A
申请号 ：
CN202111647275.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐前兵高晶李思晢赵婷婷
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202111647275.0
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
