半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：提供半导体层，半导体层包括有源区以及将有源区隔开的隔离区；在有源区中形成第一掺杂区；在有源区远离半导体层的一侧形成栅极，并在有源区中形成源极和漏极；其中，第一掺杂区靠近有源区与隔离区在第二方向上的交界处，且第一掺杂区在栅极的投影至少部分位于栅极内，源极和漏极的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同且掺杂浓度不同。通过在有源区和隔离区的交界处形成掺杂类型相同且掺杂浓度不同的第一掺杂区，使沟道边缘浓度增加，抑制了边缘沟道的提前开启，能有效地改善半导体器件的Id‑Vg曲线的双驼峰现象，以提高半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284210A
申请号 ：
CN202111652637.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙超许文山江宁
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202111652637.5
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L27/11529 H01L27/11551 H01L27/11573 H01L27/11578
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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