一种生长高质量碳化硅晶体的装置与方法
公开
摘要
本发明公开了一种生长高质量碳化硅晶体的装置与方法，包括第一加热装置、第二加热装置、生长坩埚内部的第一装料区和第二装料区，中心轴向导热装置，采用分区域装料方式、双区域加热共同耦的方式来进行高质量碳化硅晶体的制备。采用本发明所述的生长方法可以在生长初期有利于进行台阶流生长的模式，在生长后期可以弥补平衡碳硅比，诱导生长区的气流向籽晶方向运动进而稳定生长区域的气氛环境。另外，利用本发明的方法还可大幅度提高原料的利用率，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种生长高质量碳化硅晶体的装置与方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574969A
申请号 ：
CN202210485579.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王亚哲皮孝东徐所成陈鹏磊姚秋鹏程周鹏沈典宇
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
盛影影
优先权 ：
CN202210485579.X
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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