PVT法生长碳化硅晶体的坩埚
授权
摘要
本实用新型提供一种PVT法生长碳化硅晶体的坩埚，该坩埚包括：石墨坩埚体，包括底壁以及侧壁，由底壁和侧壁围成容纳腔；盖合于石墨坩埚体上的石墨坩埚盖；设置于石墨坩埚体内的多孔石墨板及疏气装置；疏气装置为由内而外依次同横轴交替设置的空心多孔石墨管及石墨软毡层叠而成。该坩埚，可有效控制含氯气体释放速率与均匀性，避免气相硅在晶体表面凝结而形成结晶缺陷；另外，多孔石墨块的安置可以使通入的多余含氯气体以及悬浮于生长气氛中碳颗粒的逸散，一定程度减少晶体中碳包裹物缺陷，提高碳化硅晶体的质量。
基本信息
专利标题 ：
PVT法生长碳化硅晶体的坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022105111.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
CN213172679U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
陈豆马远薛卫明潘尧波
申请人 ：
中电化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺妮妮
优先权 ：
CN202022105111.2
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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