碳化硅晶体生长装置
公开
摘要
本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：转盘组件，转盘组件包括外转盘和内转盘，内转盘设于外转盘且适于相对外转盘运动，至少一个籽晶设于内转盘；加热机构，加热机构包括多个热处理单元，多个所述热处理单元沿转盘组件的周向方向间隔排布，且多个热处理单元均设于外转盘，其中，内转盘适于带动籽晶在多个热处理单元之间移动，以依次通过多个热处理单元对籽晶进行处理。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，通过将加热机构分成多个热处理单元，内转盘可以带动籽晶在多个热处理单元之间移动，籽晶可以在不同的热处理单元处进行不同的热处理步骤，从而可以实现碳化硅晶体生长过程的连续性，有利于提高晶体的生长效率。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574968A
申请号 ：
CN202210135861.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李远田陈俊宏吴亚娟
申请人 ：
江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴婷
优先权 ：
CN202210135861.5
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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