本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚，所述坩埚内底部放置碳化硅原料；侧部感应线圈，其围绕设置于所述坩埚的侧部，所述侧部感应线圈包括上下独立设置的第一侧部感应线圈和第二侧部感应线圈；底部感应线圈，其设置于所述坩埚的底部外侧。本实用新型采用独立控制的侧部上下感应线圈和底部感应线圈，分别对坩埚的不同部位进行加热，通过调整第一侧部感应线圈、第二侧部感应线圈和底部感应线圈的设置和加热频率，可以实现晶体不同阶段所需的温度梯度，从而实现轴向温度的精确和动态控制。