一种半导体蚀刻成型装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体蚀刻成型装置，通过充气孔均与排气管之间为贯通设置，使其将半导体零件稳固放置好在蚀刻槽内，由调节轴杆调整遮光板位置，光刻灯对其半导体零件表面投射光源，对半导体零件需要处理区域进行曝光，关闭灯源，在区域块上涂抹涂胶，使得反应一会，达到腐蚀的效果，其部位腐蚀松散，充气机开启工作，产生气压，经排气管排入大气流到蚀刻槽内，从充气孔对半导体零件表面进行气体冲吹，把刻蚀松散的材料吹开来，避免以往机械处理容易产生碎料粉末的缺点，解决了将其半导体材料或者零件的表面刻蚀后，采用机械方式来剥离、去除材料的过程中会产生许多碎料粉末，不仅不便于清理，且容易造成半导体材料粘附碎料粉末的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体蚀刻成型装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122318342.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
CN216435844U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
张新才
申请人 ：
张新才
申请人地址 ：
江西省景德镇市乐平市镇桥镇八甲村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122318342.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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