一种碳化硅晶体的高温二次退火方法
授权
摘要
本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体的高温二次退火方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113174638A
申请号 ：
CN202110459963.8
公开（公告）日 ：
2021-07-27
申请日 ：
2021-04-27
授权号 ：
CN113174638B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
黄四江沙智勇尹归刘得伟段金炽普世坤杨海平王美春殷云川
申请人 ：
云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
董昆生
优先权 ：
CN202110459963.8
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B33/02 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-08-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20210427
申请日 : 20210427
2021-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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