一种制造碳化硅晶体的装置及制造碳化硅晶体的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种制造碳化硅晶体的装置及制造碳化硅晶体的方法，该制造碳化硅晶体的装置包括壳体、坩埚组件、籽晶组件、加热件和石墨件，壳体限定出容纳腔，坩埚组件包括石墨坩埚和设在石墨坩埚内的非石墨坩埚，非石墨坩埚用于承载助溶剂溶液，籽晶组件可升降配合在壳体内，且籽晶组件的一端伸入坩埚组件内，籽晶组件用于承载碳化硅晶体，加热件设在容纳腔内且环绕坩埚组件设置，石墨件可升降地配合在壳体内，石墨件的一端浸入助溶剂溶液内。该制造碳化硅晶体的装置能够降低碳化硅晶体的制造成本，延长纯石墨坩埚的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种制造碳化硅晶体的装置及制造碳化硅晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481317A
申请号 ：
CN202210102342.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭超母凤文
申请人 ：
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
李林
优先权 ：
CN202210102342.9
主分类号 ：
C30B27/02
IPC分类号 ：
C30B27/02 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
C30B27/02
自熔融液的提拉法
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 27/02
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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