碳化硅晶体退火坩埚及退火装置
授权
摘要
本实用新型提供一种碳化硅晶体退火坩埚及退火装置，所述碳化硅晶体退火坩埚包括坩埚本体；坩埚顶盖，设置于所述坩埚本体的顶部开口上，环状凸出部，环绕设置于所述坩埚本体的底部的外侧壁处，利用该环状凸出部，可以在发热筒和所述坩埚本体的侧壁之间限制出环状辐射传热间隙，从而可以减慢发热筒直接对退火坩埚的热传递，把热传导传热变成辐射传热。利用本实用新型，可使发热筒外壁向退火坩埚传热时更均匀，更加稳定，能够解决现有的碳化硅晶体退火开裂、加工开裂等众多的难题，同时能够实现提高晶体利用率。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶体退火坩埚及退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021833289.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN212925229U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
李坚潘尧波马远关承浩周玉洁
申请人 ：
中电化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
林凡燕
优先权 ：
CN202021833289.2
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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