一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法
公开
摘要
本发明属于光电探测技术领域，具体为一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法。该二维光电探测器基于MoS2、hBN、BP、WSe2垂直结构，具有光电流放大增益效果和宽谱响应。制备步骤包括：利用PDMS胶带机械剥离特定层数范围内的MoS2、hBN、BP、WSe2；再将剥离好的材料转移到表面沉积SiO2的Si衬底上，旋涂光刻胶，利用激光直写对光刻胶进行图形化；电子束蒸发得到金属电极；对残余光刻胶进行lift‑off；利用原子层沉积Al2O3对器件进行封装，制备得到具有光电流放大效果的宽光谱光电探测器。该光电探测器在抑制暗电流的同时对光电流信号进行放大，探测率高，响应度高，具有宽范围响应。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高增益的二维光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613880A
申请号 ：
CN202210142701.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱俊嫱丛春晓仇志军单亚兵
申请人 ：
复旦大学;复旦大学义乌研究院
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海正旦专利代理有限公司
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN202210142701.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0203 H01L31/032 H01L31/09 H01L31/111
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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