光电探测器及其制备方法
授权
摘要
本申请属于光电子技术领域，尤其涉及一种光电探测器，所述光电探测器包括依次叠层设置的P型衬底层、非导电介质层、光生载流子接收层和光电转换层，以及设置在光电转换层相对的两端的金属电极层，且所述金属电极层与所述光生载流子接收层接触设置；所述光生载流子接收层包括石墨烯，所述光电转换层包括贫氧二氧化钛或者掺杂铜的二氧化钛。本申请光电探测器，通过光电转换层中贫氧二氧化钛或者掺杂铜的二氧化钛，不但能更好的减少因石墨烯表面的脱附效应产生的暗电流，并且可增加场效应管响应面积，提高光电探测器在可见光范围内的响应度和探测灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111952384A
申请号 ：
CN202010626516.2
公开（公告）日 ：
2020-11-17
申请日 ：
2020-07-02
授权号 ：
CN111952384B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
钱正芳林俏露王任衡孙一翎范姝婷
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN202010626516.2
主分类号 ：
H01L31/0336
IPC分类号 ：
H01L31/0336 H01L31/109 H01L31/18
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-12-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0336
申请日 : 20200702
申请日 : 20200702
2020-11-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
