光电探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括绝缘衬底；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互间隔设置在绝缘衬底上；锡掺杂氧化钼/硅异质结结构，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构连接第一电极和第二电极，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构为锡掺杂氧化钼层和硅层形成的异质结。根据本申请实施例的光电探测器，至少具有如下有益效果：本方案所提供的光电探测器通过锡掺杂氧化钼在其中引入杂化能级，实现红外光的高吸收率，并且将掺杂后的氧化钼进一步和硅形成具有理想界面的二维材料异质结，锡掺杂氧化钼/硅异质结界面可以形成内建电场，有效分离光生电子空穴对，从而使得近红外光电探测器具备超快的响应时间。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464694A
申请号 ：
CN202210023552.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙明珠栾佳宏黄莉周国富
申请人 ：
华南师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
刘燚
优先权 ：
CN202210023552.9
主分类号 ：
H01L31/0336
IPC分类号 ：
H01L31/0336 H01L31/109 H01L31/18
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0336
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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