一种SOI基单片集成半导体激光器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开一种SOI基单片集成半导体激光器及其制作方法。该方法包括图案化SOI衬底的Si材料层，形成Si材料区；形成覆盖所述Si材料区的介质层；在所述介质层中形成开口，以便露出所述Si材料区；通过所述开口，对Si材料区进行侧向刻蚀，从而形成沿第一方向延伸的Si结构；通过所述开口，在所述Si结构的朝向所述开口的侧面上沿与所述第一方向正交的第二方向形成半导体发光材料；通过图案化所述介质层在所述半导体发光材料上形成介质层结构；以所述介质层结构为掩膜，去除露出的半导体发光材料，从而保留的半导体发光材料形成激光器的谐振腔。
基本信息
专利标题 ：
一种SOI基单片集成半导体激光器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552366A
申请号 ：
CN202210039746.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张昭宇黄要然谢文韬龚元昊
申请人 ：
香港中文大学（深圳）
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙翔大道2001号
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
付生辉
优先权 ：
CN202210039746.8
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/02
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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