基于GaN HEMT的激光器驱动电路及其单片集成方法
公开
摘要
本公开提供一种基于GaN HEMT的激光器驱动电路，包括：第一GaN HEMT模块，被设置为响应输入的第一电压脉冲信号，输出第二电压脉冲信号；电压脉冲反相模块，与所述第一GaN HEMT模块相连，被设置将所述第二电压脉冲信号进行反相得到第三电压脉冲信号；以及第二GaN HEMT模块，被设置为响应所述第三电压脉冲信号，输出放大的脉冲电流，驱动激光器发光。同时本公开还提供一种激光器驱动电路单片集成方法，将以上所述的激光器驱动电路进行集成。
基本信息
专利标题 ：
基于GaN HEMT的激光器驱动电路及其单片集成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300936A
申请号 ：
CN202111636327.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨仕轩赵柏秦
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张博
优先权 ：
CN202111636327.4
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042 H03K17/687
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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