单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法

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摘要

一种单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法，其中，激光器阵列结构包括形成于衬底上，脊型的阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区；阵列直条区，形成呈阵列结构的多个解离腔；分布布拉格反射区，与阵列直条区结合形成呈阵列结构的多个完整谐振腔；光束组合区，用于将呈阵列结构的多个完整谐振腔耦合集成，实现光束多波长连续同轴输出；阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区由下至上依次包括：下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和欧姆接触层；在上限制层对应分布布拉格反射区刻蚀形成二级光栅。本发明一方面实现集成阵列单元单纵模输出；另一方面实现无损耦合，实现室温多波长连续同轴输出。

基本信息

专利标题：

单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112072471A

申请号：

CN202010976458.6

公开（公告）日：

2020-12-11

申请日：

2020-09-16

授权号：

CN112072471B

授权日：

2022-04-29

发明人：

郭强强张锦川程凤敏刘峰奇刘俊岐卓宁王利军刘舒曼王占国

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

孙蕾

优先权：

CN202010976458.6

主分类号：

H01S5/40

IPC分类号：

H01S5/40 H01S5/065 H01S5/125