一种提升LDO抗干扰能力的芯片版图结构
实质审查的生效
摘要
本发明揭示了一种芯片版图结构，其特征在于：所述芯片版图结构包括至少1个金属层，其中，每个金属层上设计出电感，芯片的VDD通过所述金属层连接到芯片中LDO的电源输入端。本发明的芯片版图结构利用金属层形成的电感改善LDO的抗电源干扰的能力。
基本信息
专利标题 ：
一种提升LDO抗干扰能力的芯片版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496979A
申请号 ：
CN202111041439.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁少华王铭义马洋
申请人 ：
上海芯圣电子股份有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区小昆山镇山西路10号1号房404室
代理机构 ：
北京前审知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静
优先权 ：
CN202111041439.5
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/64 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20210906
申请日 : 20210906
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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