一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921289193.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-09
授权号 ：
CN210272374U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
丁文华习毓陈骞周新棋智晶田欢
申请人 ：
西安卫光科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市电子二路61号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
高博
优先权 ：
CN201921289193.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/417
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法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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