封装火花隙结构
公开
摘要
实施例可以涉及在封装衬底内具有静电放电(ESD)保护结构的微电子封装。ESD保护结构可以包括腔体，该腔体具有位于其中的信号线的触点和接地线的触点。可以描述或要求保护其他实施例。
基本信息
专利标题 ：
封装火花隙结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586150A
申请号 ：
CN202080071808.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·阿列克索夫F·艾德J·M·斯旺A·A·埃尔谢尔比尼V·A·斯特朗
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN202080071808.2
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/13 H01L23/053 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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