一种新型改进式MOS管的封装结构
授权
摘要
本实用新型属于MOS管封装领域，尤其为一种新型改进式MOS管的封装结构，包括上盖、下盖和固定安装在所述下盖内部的芯片，所述上盖与所述下盖卡合连接，所述上盖左右两侧壁底部均开设有安装槽，所述安装槽内部具有卡板，所述卡板内侧壁顶部固定连接有弹片，所述弹片另一端与所述安装槽内壁固定连接，本实用新型中上盖和下盖组合形成封装结构，将芯片封装在上盖和下盖内部，便于进行运输工作，上盖与下盖采用可拆分式设计，通过来回按压顶块即可完成上盖和下盖的安装和拆卸，提高了便携性，安装拆卸效率高，安装和拆卸时不需要使用到螺丝和外部工具，降低了操作步骤，减轻了工人的劳动强度，提高了工作效率性。
基本信息
专利标题 ：
一种新型改进式MOS管的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021530643.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN213124416U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
黄琼陈隐蛟
申请人 ：
扬州台科电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市高邮经济开发区波司登大道南侧
代理机构 ：
扬州润中专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张琳
优先权 ：
CN202021530643.4
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/10 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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