半导体结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底；导电柱，导电柱至少位于基底中；电连接层，电连接层与导电柱的端部相连接，且导电柱朝向电连接层的端部具有第一凸起部以及第一凸起部围成的至少一个凹槽，电连接层在与凹槽相对应的位置具有第二凸起部，第二凸起部内嵌于凹槽内。本发明实施例有利于降低电连接层从导电柱端面脱落的风险。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512468A
申请号 ：
CN202011279435.6
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011279435.6
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20201116
申请日 : 20201116
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
