半导体结构及半导体结构的制作方法
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摘要
本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括：衬底；位线，位线位于衬底上；支撑层，支撑层位于衬底上，支撑层包括第一支撑段和第二支撑段，第一支撑段和第二支撑段均与位线相连接，且位线位于第一支撑段和第二支撑段之间，使得支撑层实现了对位线的支撑，从而可以避免位线出现坍塌的问题，以此改善半导体结构的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113113384A
申请号 ：
CN202110291509.6
公开（公告）日 ：
2021-07-13
申请日 ：
2021-03-18
授权号 ：
CN113113384B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
李森夏军占康澍刘涛宛强徐朋辉
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
李建忠
优先权 ：
CN202110291509.6
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-07-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20210318
申请日 : 20210318
2021-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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