一种氧化镓光电探测器及其制备方法
授权
摘要
本公开提供了一种氧化镓光电探测器，包括：衬底(100)；下电极(200)，设于所述衬底(100)表面；氧化镓层(300)，设于所述下电极(200)的表面，所述氧化镓层(300)的顶面设有多个沟槽；上电极(400)，覆盖所述氧化镓层(300)的顶面以及沟槽的底面和侧面。另一方面本公开还提供了一种氧化镓光电探测器的制备方法。本申请的氧化镓光电探测制备工艺简单，同时实现高的响应度和快的响应速度。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化镓光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111710734A
申请号 ：
CN202010571256.3
公开（公告）日 ：
2020-09-25
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN111710734B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
赵晓龙谭鹏举侯小虎徐光伟龙世兵
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202010571256.3
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0224 H01L31/0236 H01L31/18 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20200619
申请日 : 20200619
2020-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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