具有肖特基金属结的半导体装置
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摘要
本实用新型公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置，包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本实用新型采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，在器件反向阻挡情况下，可以利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用，降低肖特基势垒电流，而在器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属仍具有较低的导通压降。
基本信息
专利标题 ：
具有肖特基金属结的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922060705.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN210607277U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
单亚东谢刚胡丹李武华
申请人 ：
广微集成技术（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道松坪山新西路7号兰光科技大厦B209
代理机构 ：
深圳市精英专利事务所
代理人 ：
刘贻盛
优先权 ：
CN201922060705.3
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/47 H01L21/329
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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