碳化硅肖特基半导体器件

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摘要

本实用新型涉及一种碳化硅肖特基半导体器件，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。

基本信息

专利标题：

碳化硅肖特基半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021961880.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-09

授权号：

CN212625590U

授权日：

2021-02-26

发明人：

林苡任史波陈道坤曾丹

申请人：

珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司

代理人：

吴大建

优先权：

CN202021961880.6

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/16 H01L21/82