一种用于射频系统三维集成的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于射频系统三维集成的封装结构，该结构包括从下到上交替纵向堆叠设置的硅基转接板和支撑互联转接板；支撑互联转接板至少两个，且其之间形成空腔；硅基转接板和支撑互联转接板均包括硅基板、硅通孔TSV、微凸点和RDL布线层；硅通孔TSV贯穿于硅基板；硅基板的上表面和下表面上均设置有RDL布线层；微凸点设置于两个RDL布线层上；硅通孔TSV、RDL布线层和微凸点相互连接。该结构具有上下垂直互联，以及结构支撑的作用，可以实现射频芯片的三维垂直堆叠，同时可以通过灵活的设计解决射频芯片三维堆叠时的电磁兼容性问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于射频系统三维集成的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921188518.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210575832U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
胡柳林何舒玮陈依军卢朝保侯杰吴晓东马盛林周鹏胡鑫欣王兵李强斌肖龙
申请人 ：
成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园
代理机构 ：
成都正华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈选中
优先权 ：
CN201921188518.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/522 G06F30/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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