低成本高集成度的射频芯片封装结构及射频功率放大器
授权
摘要
本实用新型揭示了一种低成本高集成度的射频芯片封装结构及射频功率放大器。所述射频芯片封装结构包括集成设置的射频功率放大芯片与IPD模块，所述射频功率放大芯片包括集成设置的功分器和至少两个功率放大模块，所述至少两个功率放大模块分路设置，并且所述至少两个功率放大模块的输入端分别连接所述功分器的输出端，所述功分器的输入端用于接收输入射频功率放大芯片的信号，所述IPD模块上集成有匹配电路，所述至少两个功率放大模块的输出端分别通过键合线与所述匹配电路电连接。本实用新型的射频芯片封装结构可以利用QFN封装方案实现，具有成本低、集成度高等优点。
基本信息
专利标题 ：
低成本高集成度的射频芯片封装结构及射频功率放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922244715.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-13
授权号 ：
CN210578437U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
顾滕锋
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号B0604室
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN201922244715.2
主分类号 ：
H03F3/189
IPC分类号 ：
H03F3/189 H03F3/20
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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