一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法,包括:提供第一载板,将芯片贴装在第一载板上,构建第一包封层;在第一包封层上表面进行多次包封‑减薄打孔‑RDL布线工艺处理,包封层和布线层交替结构;在最后一层布线层上表面贴装器件进行包封,形成第一封装体;将第一载板去除,在封装体上表面贴装第二载板,在第一封装体下表面进行RDL布线,形成第二封装体,去除第二载板,贴装器件进行封装,形成最终封装体。本发明采用载板代替了多层基板,降低了产品的生产成本和加工难度,并进行包封‑布线多层叠加封装,有效的缩短了散热路径,并且能够降低电容和电感的寄生参数,提高了导热效率,直接连接金属散热面,提升最终封装体的散热性能。

基本信息
专利标题 :
一种射频前端集成电路的封装结构以及封装方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114267598A
申请号 :
CN202111488795.1
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈高鹏程忍高佳慧
申请人 :
宜确半导体(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区中金鸡湖大道88号人工智能产业园E3-801室
代理机构 :
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
冯瑞
优先权 :
CN202111488795.1
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56  H01L21/768  H01L23/31  H01L23/373  H01L23/538  H01L25/18  H01L25/16  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20211207
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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