包括至少一个厚半导体材料膜的异质结构的制作工艺
授权
摘要
本发明涉及一种制造包括至少一种半导体材料的，应用于微电子学、光电子学、光学等领域的结构的工艺。本发明的方法包括下列步骤：向第一材料构成的承载(10)上配备由与第一材料不同的第二材料制成的单晶薄层(22)，该层被转移到承载上；并执行至少强化薄层和承载之间的结合界面(12)的预定热处理。本方法特征在于，作为第一和第二材料的热膨胀系数的差的函数，以及上述预定热处理参数的函数来选择薄膜厚度(e1)，使得热处理在承载/转移薄层组件上施加的应力不使组件受到影响。本发明的特征还在于，包括在薄层上以单晶态沉积第二材料的附加厚度(22’)的附加步骤。本发明适用于生产包括厚的有用层的异质衬底。
基本信息
专利标题 ：
包括至少一个厚半导体材料膜的异质结构的制作工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147253A
申请号 ：
CN200680009219.1
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
F·勒泰特B·吉斯兰I·凯尔富尔克
申请人 ：
S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请人地址 ：
法国贝尔尼
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200680009219.1
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2011-10-12 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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