半导体结构及其制作方法
授权
摘要
一种半导体结构，其位于晶片的切割道区上，且环绕晶片的芯片区，此半导体结构包括依序配置于切割道区上的多层介电层以及配置于每一层介电层中的多个图案化金属。其中，每一层介电层中的图案化金属延伸至位于下一层的部分介电层中。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949485A
申请号 ：
CN200510113377.9
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭建利吴炳昌饶瑞孟
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510113377.9
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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