非易失性半导体存储装置
专利权的终止
摘要
对触发电路施加强制反转装置，以免受位线间干扰的影响且不增大消耗功率的方式。实现位线验证。本发明的非易失性半导体存储装置，其特征在于包括：以第1／第2状态保持写入数据的触发电路1；与触发电路连接着的位线BL；对位线BL充电的晶体管Q3；以及阈值取在第l／第2范围以存储信息的存储单元2。还有，具备强制反转手段，在接着写入动作进行验证动作时，与存储单元2的存储数据相对应地将触发电路的一端与规定的电位连接起来，强制性地设定保持数据。$#!
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1098220A
申请号 ：
CN94103081.4
公开（公告）日 ：
1995-02-01
申请日 ：
1994-03-31
授权号 ：
CN1078960C
授权日 ：
2002-02-06
发明人 ：
宫本顺一伊藤宁夫岩田佳久
申请人 ：
东芝株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
上海专利商标事务所
代理人 ：
竹民
优先权 ：
CN94103081.4
主分类号 ：
G11C11/419
IPC分类号 ：
G11C11/419 G11C17/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/419
读写电路
法律状态
2014-05-21 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101582293792
IPC(主分类) : G11C 11/419
专利号 : ZL941030814
申请日 : 19940331
授权公告日 : 20020206
期满终止日期 : 20140331
号牌文件序号 : 101582293792
IPC(主分类) : G11C 11/419
专利号 : ZL941030814
申请日 : 19940331
授权公告日 : 20020206
期满终止日期 : 20140331
2002-02-06 ：
授权
1995-02-01 ：
公开
1995-01-18 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1098220A.PDF
PDF下载
2、
CN1078960C.PDF
PDF下载
