具有可选金属栅极材料的非易失性半导体存储器件

授权

摘要

一种非易失半导体存储器件，它包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间提供的沟道区的衬底，以及位于沟道区上部的栅极堆叠和位于栅极堆叠上部的金属栅极。金属栅极是由相对栅极堆叠的复合层具有特定金属逸出功的金属构成的，以使电子通过直接隧穿效应贯穿阻挡层的整个厚度。栅极堆叠优选地包括一种选自由ONO、ONH、OHH、OHO、HHH或HNH构成的多层堆叠组的多层堆叠，其中O为氧化物材料、N为SiN、H为高κ材料。

基本信息

专利标题：

具有可选金属栅极材料的非易失性半导体存储器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790718A

申请号：

CN200510119953.0

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-10-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

田尚勋韩桢希金桢雨

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510119953.0

主分类号：

H01L27/105

IPC分类号：

H01L27/105 H01L27/112 H01L27/115 H01L29/78