微波等离子体源离子注入装置
专利申请的视为撤回
摘要
微波等离子体源离子注入装置，是一种用于离子注入材料表面改性的设备。它由靶室[1]、真空系统[2]、供气系统[3]和一组或多组工作源[4，5，6，7]组成。每组工作源包括一个或多个微波等离子体源[4]和(或)一个或多个材料溅射源[5，6，7]，微波等离子体源用横磁瓶电子回旋微波等离子体源；材料溅射源可以用磁控溅射源[5]、微波等离子体溅射源[6]或真空电弧装置[7]。在工作真空度10-2—10-3Pa时，工件上接直流、交流或脉冲高压电源[8，14，15]，装置可进行离子注入、离子束动态混合，在工件表面形成优良的保护涂层。
基本信息
专利标题 ：
微波等离子体源离子注入装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1087128A
申请号 ：
CN92111983.6
公开（公告）日 ：
1994-05-25
申请日 ：
1992-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭华聪
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610064四川省成都市九眼桥
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
刘金蓉
优先权 ：
CN92111983.6
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
1996-03-06 ：
专利申请的视为撤回
1994-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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