一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器。该忆阻器自下而上依次设置为衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极；所述第一功能层和第二功能层为纳米堆叠结构薄膜材料，其中，第一功能层的材料采用HfOy薄膜，第二功能层的材料采用Cu掺杂的TiOx薄膜。本发明中第一功能层HfOy薄膜材料获取简单，易于实现，并且具有高开关比，第二功能层TiOx薄膜中掺入Cu可以加快导电细丝的生成速率，增强导电细丝的稳定性，从而增大忆阻器的开关比，进而实现双功能层提高忆阻器的稳定性、增大忆阻器的开关比，对新一代存储器的研究具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512604A
申请号 ：
CN202210412902.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李玉霞袁方张鹏邓玥于相成
申请人 ：
山东科技大学
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区前湾港路579号
代理机构 ：
青岛智地领创专利代理有限公司
代理人 ：
陈海滨
优先权 ：
CN202210412902.0
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220420
申请日 : 20220420
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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