本实用新型公开了—种新型忆阻器，包括下电极、忆阻层和上电极，所述上电极固定在忆阻层的顶部表面，所述下电极固定在忆阻层的底部表面，所述忆阻层包括顶层电极材料、钨氧化物层、氮氧化钛层和底层电极材料，所述顶层电极材料、钨氧化物层、氮氧化钛层和底层电极材料由上至下依次堆叠，所述下电极的底部表面覆盖设置有垫层，所述上电极的顶部表面覆盖设置有保护层；提高器件的初始电阻和低阻态电阻，减小了器件的波动性，大幅度降低了功耗，抑制了器件内部微结构变化，取得提高集成度、降低功耗的效果，结构简单，降低了工艺复杂度，节约了生产成本，垫层与保护层有效为忆阻器提供了保护，有效延长忆阻器的使用寿命。