一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法
公开
摘要
本发明公开一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法。本发明以薛定谔泊松方程、费米狄拉克统计为基础，考虑氮化镓HEMT器件高频、高漏源电压开关条件下阈值电压漂移，基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应，将器件阈值电压漂移模型构建为与器件漏源电压和器件开关频率相关，并基于此构建出可适用于不同漏源电压和开关频率下氮化镓高电子迁移率晶体管阈值电压及漏极电流的解析模型。本发明的GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型建立方法，解决了目前主流模型在电路仿真平台中无法预测GaN HEMT器件在不同频率不同漏源电压下的阈值电压漂移与电流崩塌现象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型对阈值电压及漏极电流的预测精度。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114564907A
申请号 ：
CN202210195724.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周琦罗志华党其亮邓超蔡永莲母彧丞张波
申请人 ：
电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210195724.0
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367 H01L29/778
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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