一种阈值电压可调的大电流场发射二极管及其加工方法

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摘要

本发明公开了一种阈值电压可调的大电流场发射二极管及其加工方法，包括能够相互靠近或远离的底部玻璃层和锥尖发射体，在所述底部玻璃层朝向所述锥尖发射体的端面上设有阴极电极、阳极电极和控制电极，所述阴极电极与所述锥尖发射体连接，所述底部玻璃层和所述锥尖发射体在所述控制电极的控制电压变大时相互靠近，并在所述控制电极的控制电压变小时相互远离。本方案通过对控制电极上的控制电压的大小进行调节，就可以达到增大或减小场发射二极管的阈值电压的目的，由此就实现了方便的对场发射二极管的阈值电压进行调节的目的，并由此提高了场发射二极管的通用性和使用范围。

基本信息

专利标题：

一种阈值电压可调的大电流场发射二极管及其加工方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113675058A

申请号：

CN202111014381.5

公开（公告）日：

2021-11-19

申请日：

2021-08-31

授权号：

CN113675058B

授权日：

2022-05-31

发明人：

刘海涛江佳胡贝妮宋凌辉屈安登王宇萧

申请人：

重庆大学

申请人地址：

重庆市沙坪坝区沙正街174号

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司

代理人：

项晓丹

优先权：

CN202111014381.5

主分类号：

H01J1/304

IPC分类号：

H01J1/304 H01J9/02