高浪涌电流型SiC二极管

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摘要

本实用新型公开了一种高浪涌电流型SiC二极管,包括SiC衬底(1)，SiC衬底(1)表面设有深P‑grid层(2)，深P‑grid层(2)外部设有浅P+grid层(3)。本实用新型通过在SiC衬底表面形成的浅P+grid层，能够替代现有SiC二极管中的Ni‑Ohmic层起到提高正向浪涌电流的效果；同时通过浅P+grid层和深P‑grid层的配合可以使本实用新型在加工时无需增设新的光刻工艺，进而相比现有的SiC二极管能够减少一道光罩数量，具有生产周期短、生产成本低和正向浪涌电流高的特点。

基本信息

专利标题：

高浪涌电流型SiC二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022345163.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-20

授权号：

CN212810312U

授权日：

2021-03-26

发明人：

张振中郝建勇孙军

申请人：

杭州中瑞宏芯半导体有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市余杭区仓前街道仓兴路1号7幢708-4室

代理机构：

杭州新源专利事务所(普通合伙)

代理人：

郑双根

优先权：

CN202022345163.7

主分类号：

H01L29/861

IPC分类号：

H01L29/861 H01L29/16 H01L29/06