本发明公开了一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括真空炉，真空炉的外表面设置有限位杆，限位杆的外表面转动连接有连板，连板的一端固定连接有密封盖，真空炉的侧表面分别设置有抽气管道和氮气管道，真空炉的内部设置有第一隔热层，第一隔热层的内部设置有加热腔，加热腔的内部设置有第二隔热层，第二隔热层的外表面缠绕有加热丝管，且第二隔热层的内壁设置有多个氮气喷头，通入的氮气可以快速的排入第二隔热层内部，避免氮气管道内部堆积大量氮气而增大氮气管道的内部压强，防止较大压力氮气管道产生损坏，多个氮气喷头可以使氮气可以均匀的排放至加热腔内，有助于阻止加热腔内的一些金属发生挥发变形，同时可以提高冷却效果。