用于SiC基场效应晶体管的栅介质薄膜晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于SiC基场效应晶体管的栅介质薄膜晶体管及其制备方法，制备方法如下：提供清洗后的SiC衬底；将CaF2薄膜沉积到清洗后的SiC衬底上，形成CaF2/SiC衬底；在CaF2/SiC衬底在碳化硅的一侧蒸镀金属薄膜作为栅电极；将二维材料转移到CaF2/SiC衬底衬底上；在二维材料上蒸镀金属分别得到源电极和漏电极；利用惰性气体退火后完成晶体管的制备。该晶体管自下而上的结构为栅电极/SiC/CaF2/二维材料/源漏电极。本发明制备的栅介质薄膜CaF2具有空气稳定性高、无表面悬挂键、介电常数高，禁带宽度大和界面态密度低等优点。
基本信息
专利标题 ：
用于SiC基场效应晶体管的栅介质薄膜晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530506A
申请号 ：
CN202210130462.X
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李京波岳倩高伟王小周张峰
申请人 ：
浙江芯科半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢706室
代理机构 ：
杭州周林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶舒鸿
优先权 ：
CN202210130462.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/16 H01L21/34
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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