双极有机薄膜场效应晶体管及其制造方法
专利权的终止
摘要
在具有金属/绝缘体/半导体(MIS)结构的薄膜场效应晶体管中，半导体层由有机化合物形成，而绝缘层是由可溶于有机溶剂中和显示出类似于铁电材料的自发极化现象的有机化合物形成。当于源极和栅极间施加不小于此绝缘层的有机化合物的矫顽场和不大于其耐压的电压来进行分极时，此晶体管显示出n型晶体管特性；而在不分极时，此晶体管显示出p型晶体管特性。
基本信息
专利标题 ：
双极有机薄膜场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855572A
申请号 ：
CN200610074140.9
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川合知二谷口正辉水野江里子福井育生
申请人 ：
国立大学法人大阪大学;信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杜日新
优先权 ：
CN200610074140.9
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/40
法律状态
2021-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 51/05
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20110330
终止日期 : 20200324
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20110330
终止日期 : 20200324
2011-03-30 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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