测试记忆体的方法及内建自我测试电路
公开
摘要
一种测试记忆体的方法及内建自我测试电路，对一记忆体巨集执行一内建自我测试包括产生多个输入向量。在多个周期中的每一者中向该记忆体巨集传输一个输入向量。该些输入向量中的每一者与一位元宽度相关联。产生该输入向量包括产生该位元宽度一半的一部分输入向量，及将该部分输入向量传输至该记忆体巨集的一前半部分及该记忆体巨集的一后半部分中的每一者。该方法亦包括：在该些周期中的每一者中接收来自该记忆体巨集的一输出数据，使得该输出数据由该记忆体巨集回应于对该部分输入向量的处理而产生；将该输出数据与一签章值进行比较；及基于该比较来判定该记忆体巨集是正常的或是有瑕疵的。
基本信息
专利标题 ：
测试记忆体的方法及内建自我测试电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114596909A
申请号 ：
CN202210102026.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄国达阿德汗·沙曼葛少格·马瑞特
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202210102026.1
主分类号 ：
G11C29/12
IPC分类号 ：
G11C29/12 G11C29/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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