非挥发性记忆体电路及其设定方法
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摘要
一种非挥发性记忆体电路，是由多数组记忆单元组成，每一组记忆单元包括第一开关、第二开关、数据线，以及多个叠接记忆元件。其中，第一开关的第一端耦接至第一电压。数据线耦接至第一开关的第二端。第二开关的第一端耦接至数据线。此外，在多个叠接记忆元件中，每一个记忆元件的第三端耦接至下一级记忆元件的第一端，每一个记忆元件的第二端耦接至第二电压。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性记忆体电路及其设定方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941200A
申请号 ：
CN200510108094.5
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶致锴
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510108094.5
主分类号 ：
G11C16/02
IPC分类号 ：
G11C16/02 H01L27/115
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法律状态
2009-11-25 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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