一种发光二极管及制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种发光二极管及制作方法，发光二极管包括包括外延层衬底、外延层、薄膜层和蓝宝石衬底，所述外延层外延生长在所述外延层衬底上，所述薄膜层沉积于所述外延层上，所述蓝宝石衬底贴合于所述薄膜层上，其中，所述薄膜层包括ITO薄膜和金属薄膜，所述ITO薄膜沉积于所述外延层上，所述金属薄膜中至少包括两种不相同的金属层，所述金属层依次沉积于所述ITO薄膜上，所述蓝宝石衬底上附着有所述金属薄膜中远离所述ITO薄膜一端相同金属材料的所述金属层，所述蓝宝石衬底上附着有所述金属层的一侧贴合于所述金属薄膜上。通过本发明可以有效解决了氧化物键合层与蓝宝石之间较难形成键合以及键合后结合力弱的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551665A
申请号 ：
CN202210092993.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李良迁杨琦贾钊胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210092993.4
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00 H01L33/40
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
