公开了一种3D存储器及其控制方法。该控制方法包括：在第一选择晶体管和第二选择晶体管导通的情形下，对多个存储晶体管进行编程操作；以及在第一选择晶体管和第二选择晶体管导通的情形下，对多个存储晶体管进行读取操作，其中，在多个存储晶体管的编程操作结束至第一次读取操作的空闲阶段，将沟道柱偏置于负电势以抑制多个存储晶体管对应多晶硅沟道陷阱内已捕获电子的逸出。本发明提供的3D存储器及其控制方法在空闲阶段对沟道柱进行偏置以减少第一次读取的暂态读取错误，因而无需舍弃第一次读取的结果。该控制方法可以提高3D存储器的读取速度以及在空闲状态和读取操作中降低功耗。