本发明涉及一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行验证操作及读取操作的目标字线；在验证操作及读取操作时分别对目标字线施加验证电压和读取电压；在验证操作及读取操作时对与目标字线相邻的第一字线组施加第一导通电压；以及在验证操作及读取操作时对与目标字线相邻的第二字线组中的至少一部分字线施加第二导通电压，目标字线连接的存储单元连接于第一字线组及第二字线组连接的存储单元之间；其中，与第一字线组中的字线相连的存储单元为未编程状态，与第二字线组中的字线相连的存储单元为已编程状态，第二导通电压小于第一导通电压。