本发明涉及一种超快激光单次制备多个微型电容集成化的方法，属于微纳米制造领域。本发明的目的是解决现有技术加工效率低下，不灵活且精度与性能不稳定的缺点。本发明通过超快激光对二维材料进行局部选区电子动态调控，进而产生去除和烧蚀，最终可以在激光光斑面积内单次曝光实现多种超微型电容器串并联集成化制备；此方法制备效率极高、过程简单，利用这种方法制备的微型超级电容器尺寸、形状、性能、集成化形式皆灵活可调。这种单次曝光制备多个电容器集成化的方法将推动微型能源器件乃至微电子行业的发展，颠覆传统光刻加工方法，实现超高效率高性能器件集成化制造。